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Product Center
  • GBD系列德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

    IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間,tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GBD系列
    瀏覽量:744
  • GAH系列西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導體模塊

    賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A,電壓級別為600V至1800V。可用于各種應用,并采用多項關鍵技術,提供不同的拓撲結構,如CIB、半橋、H橋、三相全橋和三電平等。西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導體模塊

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GAH系列
    瀏覽量:792
  • GD六單元6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現貨

    IGBT動態特性是 :IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間,tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。靜態特性有伏安特性、轉移特性和開關特。6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現貨

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GD六單元
    瀏覽量:787
  • GAR單開關西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

    IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GAR單開關
    瀏覽量:1023
  • GAL單開關西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導體全系列

    西門康IGBT驅動板 包括三大類:Driver驅動板、Driver Core驅動芯、Adaptor Board適配板,適于驅動600V、1200V、1700V三種電壓等級的IGBT模塊。IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導體全系列

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GAL單開關
    瀏覽量:829
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