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MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。艾賽斯模塊MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管 德國(guó)IXYS艾賽斯

MOS具有以下特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)良、無(wú)二次擊穿問(wèn)題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點(diǎn)就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計(jì)者一種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件。在各類(lèi)中小功率開(kāi)關(guān)電路中應(yīng)用極為廣泛。 艾賽斯IXYS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管觸發(fā)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊

mos管在電路中一般用作電子開(kāi)關(guān)，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。德國(guó)艾賽斯MOS管場(chǎng)效應(yīng)管模塊貼片大功率

IGBT最常見(jiàn)的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu)。以2 in 1模塊為例，模塊中封裝了兩組芯片，根據(jù)電流或功率要求不同每組可并聯(lián)多顆IGBT芯片（ IGBT芯片與FRD一一對(duì)應(yīng)）英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2